「memorybarrier」memory包包简介

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为什么在多核多线程程序中要慎用volatile关键字

嵌入式 汇编 arm ： mcr p15,0,r0,c7,c10,4 \ n 是什么意思？

半导体器件的分类

求英语作文memory。三段。 what is memory how to improve memory the improtance of memory

获得格莱美奖的英文歌曲

半导体历史发展有哪些

一、为什么在多核多线程程序中要慎用volatile关键字

总的来说，volatile关键字有两种用途：　　一个是ISO C/C++中用来处理“异常”内存行为（此用途只保证不让编译器做任何优化，对多核CPU是否会进行乱序优化没有任何约束力）　　另一种是在Java/.NET（包括Visual Studio添加的扩展）中用来实现高性能并行算法（此种用途通过使用memory barrier保证了CPU/编译器的ordering，以及通过JVM或者CLR保证了对该volatile变量读写操作的原子性）。　　一句话，volatile对多线程编程是非常危险的，使用的时候千万要小心你的代码在多核上到底是不是按你所想的方式执行的，特别是对现在暂时还没有引入内存模型的C/C++程序更是如此。安全起见，大家还是用Pthreads，Java.util.concurrent，TBB等并行库提供的lock/spinlock，conditional variable, barrier, Atomic Variable之类的同步方法来干活的好，因为它们的内部实现都调用了相应的memory barrier来保证memory ordering，你只要保证你的多线程程序没有data race，那么它们就能帮你保证你的程序是正确的（是的，Pthreads库也是有它自己的内存模型的，只不过它的内存模型还些缺点，所以把多线程内存模型直接集成到C/C++中是更好的办法，也是将来的趋势，但是C++1x中将不会像Java/.NET一样给volatile关键字添加acquire和release语义，而是转而提供另一种具有同步语义的atomic variables，此为后话）。如果你想实现更高性能的lock free算法，或是使用volatile来进行同步，那么你就需要先把CPU和编程语言的memory model搞清楚，然后再时刻注意Atomicity和Ordering是否被保证了。（注害筏愤禾莅鼓缝态俯卡意，用没有acquire/release语义的volatile变量来进行同步是错误的，但是你仍然可以在C/C++中用volatile来修饰一个不是用来做同步（例如一个event flag）而只是被不同线程读写的共享变量，只不过它的新值什么时候能被另一个线程读到是没有保证的，需要你自己做相应的处理）

二、嵌入式 汇编 arm ： mcr p15,0,r0,c7,c10,4 \ n 是什么意思？

这条语句为ARM的协处理命令，你没说具体的ARM型号所以这条语句的效果无从而知。MCR p15,0,,c7,c10,4 ; Data Synchronization Barrier operation.数据同步屏障操作。可查看官方内核手册：This instruction acts as an explicit memory barrier. This instruction completes when all explicit memory transactions occurring in program order before this instruction are completed. No instructions occurring in program order after this instruction are executed until this instruction completes. Therefore, no explicit memory transactions occurring in program order after this instruction are started until this instruction completes. See Explicit Memory Barriers on page 6-30.It can be used instead of Strongly Ordered memory when the timing of specific stores to the memory system has to be controlled. For example, when a store to an interrupt acknowledge location must be completed before interrupts are enabled.The Data Synchronization Barrier operation can be performed in both privileged and User modes of operation.

三、半导体器件的分类

现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。半导体器件的种类： 一、分立器件1、 二极管A、一般整流用B、高速整流用：①FRD（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）C、定压二极管（齐纳二极管）D、高频二极管①变容二极管②PIN二极管③穿透二极管④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管2、 晶体管①双极晶体管②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）Ⅰ、接合型FETⅡ、MOSFET③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)3、 晶闸管①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管） ③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）二、光电半导体1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）2、激光半导体3、受光器件①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）②光电晶体管（Photo Transistor）③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体）4、光耦(photo Relay)①光继电器（photo Relay)②光断路器（photo Interrupter）5、光通讯用器件三、逻辑IC1、通用逻辑IC2、微处理器（Micro Processor）①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）①栅陈列（Gate-Array Device）②SC(Standard Cell:标准器件)③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）6、系统LSI（System LSI）四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）1、电源用IC2、运算放大器（OP具Amp）3、AD、DA转换器（AD DA Converter）4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)五、存储器1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)3、快闪式存储器(Flash Memory)4、掩模ROM(mask Memory)5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)

四、求英语作文memory。三段。 what is memory how to improve memory the improtance of memory

Exercise daily. Regular aerobic exercise improves circulation and efficiency throughout the body, including in the brain, and can help ward off the memory loss that comes with aging. Exercise also makes you more alert and relaxed, and can thereby improve your memory uptake, allowing you to take better mental “pictures." Reduce stress. Chronic stress, although it does not physically damage the brain, can make remembering much more difficult. After prolonged stress the brain will be damaged. Stressful situations are recognized by the hypothalamus, which in turn signals the pituitary gland. The pituitary gland secreted adrenocorticotropic hormone (ACTH)which influences the adrenal glands to secrete adrenaline and later cortisol(corticosteroids). The corticosteroids can weaken the blood-brain barrier and damage the hippocampus(the memory center). Ironically, the hippocampus controls the secretion of the hormone released by the hypothalamus through a process of negative feedback. After chronic stress it will be damaged and it will not be as efficient in regulating the degenerative corticosteroids and memory will be harmed. Neurogenesis (formation of new neurons) indeed exists in the hippocampus but stress inhibits it. To recapitulate and synthesis, chronic stress will affect your health and your memory, it will damage the brain so the best option is to learn to control stress. Stress will never be eliminated, but it definitely can be controlled. Rehearse information frequently and “over-learn”. Review what you’ve learned the same day you learn it, and at intervals thereafter. What researchers call “spaced rehearsal” is more effective than “cramming.” If you’re able to “over-learn” information so that recalling it becomes second nature, so much the better.

五、获得格莱美奖的英文歌曲

我最喜欢《Boulevard Of Broken Dreams》Green Day《This Love》Maroon 5这里有详细信息：第48界格莱美, 获讲名单格莱美奖

六、半导体历史发展有哪些

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

扩展资料：

人物贡献:

1、英国科学家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料。

硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花；

然而，今天我们已经知道，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加，但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。

2、德国的布劳恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

但直到1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，德国的萧特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在这方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

另一方面，德国人佩尔斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 于1929年，则指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；

他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

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